东莞厚街招工信息8小时:请高手在帮翻译下1段话

材料选择为光电二极管必须是这样, 相片能量比Eg.Further, 在辐射波长, 吸收发生在adepth 包括取尽层数以便photogenerated EHPs 能由领域分离和被收集在电极。如果吸收系数是太大的然后吸收将发生非常在是在取尽层数之外p 层数的表面附近。
首先, 缺乏领域意味, photogenerated eletron 能只做它对取尽层数tocross 对n 边由diffusion.Secondly, photogeneration 在表面附近不变地导致作为再结合centers.On 另一手的迅速再结合由于表面瑕疵, 如果吸收系数太小, 只有phontons 的一个小部份将被吸收在取尽层数和唯一EHPs 的一个有限的数字能是photogenerated

楼上应该也是用软件翻译的吧~:)

楼主应该是该专业人士吧。自己组织下语言：

the choice of material for a photodiode must be such that the photo energies than Eg.Further,
一个光二极体的事物的选择一定是以致于相片能量超过 Eg.Further,

at the wavelength of radiation,
在幅射的波长,

the absorption occurs over adepth covering the depletion layer so that the photogenerated EHPs can be separated by the field and collected at the electrodes.
吸收在 adepth 之上发生包含的空虚层，以便 photogenerated EHPs 能被栏位分开而且在电极被收集。

If the absorption coefficient is too large then absorption will occur very near the surface of the p+ layer which is outside the depletion layer.
如果吸收系数太大 , 那么吸收将会在 p 的表面的附近非常发生+ 在空虚层之外的层。

first,the absence of a field means that the photogenerated eletron can only make it to the depletion layer tocross to the n-side by diffusion.
首先,栏位的消失意谓 photogenerated eletron 才能对对 n 的空虚层 tocross 做到 -藉着扩散偏袒。

Secondly,photogeneration near the surface invariably leads to rapid recombination due to surface defects that acts as recombination centers.
第二，在表面附近的 photogeneration 不变化地引导 , 预定的迅速的复合升至水面担任复合中心的缺点。

On the other hand,if the absorption coefficient is too small,
另一方面，如果吸收系数太小,

only a small portion of the phontons will be absorbed in the depletion layer and only a limited number of EHPs can be photogenerated
只有 phontons 的小部分将会专注于空虚层和只有一个 EHPs 的有限制数目可能是 photogenerated