中科新闻网双十一说说图片:请问下应变硅的历史，发展，应用，在国际中的状态还有存在的问题！
来源：百度文库 编辑：中科新闻网 时间：2024/05/11 18:24:30
IBM和英特尔的研究人员与工程师们将在下周于旧金山举行的国际电子设备会议(IEDM)上详细阐述他们在应变硅技术(strained silicon)方面取得的进展。应变硅技术是一项新的制造技术，预计可把处理器的性能提高20%。
应变硅技术与双闸极式(double-gate)和三闸极式(triple-gate)晶体管，绝缘件(SOI)硅片等最新设计思想一样，使芯片制造商们能够维持摩尔定律建立起来的性能曲线，这个半
导体行业的原理称：每两年制造商们就会把芯片内晶体管的数目增加一倍。但是处理器的性能提高的同时又产生了其它问题，比如能量消耗更大等，这就促使设计者们去寻找有创造性的解决方案。
IBM技术组的首席技术官Bernard Meyerson说：“进步的方法论正在发生根本的改变。你要拼命工作才能保持住这个预言性的曲线……你将不得不在原料上创新。”
观念上的改变意味着在原材料和晶体管设计方面的深入研究在未来将变得更加重要。应变硅技术的概念虽然已存在了30多年，但直到最近才成为芯片设计者们关注的中心。英特尔预计于明年推出的Prescott芯片中将采用这项新技术，它通过延长晶体管中硅原子之间的距离来减小阻碍电子在晶体管内移动的原子力，从而提高了芯片性能并减少了能量的消耗