泰坦倍捻机:关于电脑硬件的一些问题

大家都知道英特尔发布了迅驰处理器的低价版本——赛扬M处理器。英文名称是：Intel Celeron-M Processer。那它有哪些特点呢，它同Intel Pentium-M也就是通常说的迅驰处理器有哪些区别呢？现在就这些问题做一回答。
　　1．赛扬处理器是什么？ 大家都知道奔腾处理器，从最早的奔腾到现在的奔腾4，就是P4处理器。这些处理器是英特尔公司在主流价位机器上力推的产品，其定价比较高。但是为了满足低价大容量市场的需求，英特尔方面不得不推出低价的处理器产品，于是赛扬处理器就诞生了。
　　2．赛扬处理器与奔腾处理器的区别再哪里？ 赛扬处理器与奔腾处理器在运算内核上完全相同，不同的地方是二级缓存的大小不同。现有的台式机处理器P4的二级缓存大小是512KB，而P4赛扬的二级缓存大小是128KB。在笔记本上用的奔腾－M处理器的二级缓存大小是1MB，新出的赛扬M处理器的二级缓存大小是512KB，跟P4的一样。奔腾－M和赛扬M处理器除了二级缓存大小不同外，其余地方一样。
　　什么是二级缓存？它是干什么用的？ 二级缓存又叫L2 CACHE，它是处理器内部的一些缓冲存储器，其作用跟内存一样。 它是怎么出现的呢？ 要上溯到上个世纪80年代，由于处理器的运行速度越来越快，慢慢地，处理器需要从内存中读取数据的速度需求就越来越高了。然而内存的速度提升速度却很缓慢，而能高速读写数据的内存价格又非常高昂，不能大量采用。从性能价格比的角度出发，英特尔等处理器设计生产公司想到一个办法，就是用少量的高速内存和大量的低速内存结合使用，共同为处理器提供数据。这样就兼顾了性能和使用成本的最优。而那些高速的内存因为是处于CPU和内存之间的位置，又是临时存放数据的地方，所以就叫做缓冲存储器了，简称“缓存”。它的作用就像仓库中临时堆放货物的地方一样，货物从运输车辆上放下时临时堆放在缓存区中，然后再搬到内部存储区中长时间存放。货物在这段区域中存放的时间很短，就是一个临时货场。 最初缓存只有一级，后来处理器速度又提升了，一级缓存不够用了，于是就添加了二级缓存。二级缓存是比一级缓存速度更慢，容量更大的内存，主要就是做一级缓存和内存之间数据临时交换的地方用。现在，为了适应速度更快的处理器P4EE，已经出现了三级缓存了，它的容量更大，速度相对二级缓存也要慢一些，但是比内存可快多了。 缓存的出现使得CPU处理器的运行效率得到了大幅度的提升，这个区域中存放的都是CPU频繁要使用的数据，所以缓存越大处理器效率就越高，同时由于缓存的物理结构比内存复杂很多，所以其成本也很高。
　　大量使用二级缓存带来的结果是处理器运行效率的提升和成本价格的大幅度不等比提升。举个例子，服务器上用的至强处理器和普通的P4处理器其内核基本上是一样的，就是二级缓存不同。至强的二级缓存是2MB～16MB，P4的二级缓存是512KB，于是最便宜的至强也比最贵的P4贵，原因就在二级缓存不同。
　　3．新的赛扬M处理器有哪些特点 新的赛扬M处理器是奔腾M处理器（通常称的迅驰处理器）的简化版本，它将奔腾M处理器的二级缓存减小了一半，其余的完全同奔腾M处理器。另外，为了区别这两种处理器，英特尔方面将赛扬M处理器的运行频率降了一些，目前最高的频率是1.2GHz。之后赛扬M处理器一直会比主流的迅驰处理器频率低0.1GHz。这是英特尔方面的产品政策所致。
　　4．赛扬M处理器同赛扬处理器的区别 新的赛扬M处理器同P4赛扬的区别在于： 首先是处理器内核不同，一个是迅驰的内核（赛扬M），一个是P4的内核（P4赛扬），所以在数据运行效率上，赛扬M比P4赛扬强多了，可谓是天生丽质。 其次是二级缓存不同。赛扬M的二级缓存是512KB，相当于现在主流P4处理器的二级缓存大小，而P4赛扬的二级缓存只有128KB，非常小。根据前面所说的那样，其运行效率将比赛扬M低很多。所以赛扬M处理器将大大强于P4赛扬
　　5．赛扬M处理器同奔腾4处理器的比较 赛扬M处理器同P4处理器的不同点在于两处： 一是二者内核不同，一个迅驰的核，一个是P4的核。这样当然是迅驰的内核其运行效率高，消耗的能量少，产生的热量低了。 二是二者的使用的节能技术不同。赛扬M使用的是同迅驰一样的节能技术，所以它比P4M的电池使用时间长。 赛扬M的二级缓存容量跟P4的一样，而其内核运行效率比P4高，所以其实际使用效能就比同频率的P4处理器更好。再加上合理的价格，用户实际上是买到了一颗更好的处理器。

　　Serial ATA也就是串行ATA，它与目前广泛采用的ATA/100或ATA/133等接口最根本的不同在于，以前硬盘所有的ATA接口类型都是采用并行方式进行数据通信，因而统称并行ATA。而Serial ATA，顾名思义，也就是采用串行方式（Serial ATA采用“序列式”的结构，把若干位（bit）数据打包，然后采用比并行式更高的速度（高50%），把数据分组形式传输至主机的方式）进行数据传输。

　　一、高速度

　　现行的ATA硬盘很少会用尽数据线所有的带宽。即使是ATA/133硬盘，也不会真正达到133MB/S的速率。最多也就只能达到60MB/S的稳定传输速率。所以一般情况下，并不会感觉到ATA/133和ATA/66的区别。而串行ATA1.0确立了150MB/S的标准，最终将实现600MB/S的传输速率，可谓一个质的飞跃。

　　二、可连接多台设备

　　由于Serial ATA 采用点对点的传输协议，所以不存在主/从问题，这样每个驱动器不仅能独享带宽，而且使拓展ATA设备更加便利。用户不需要再为设置硬盘主从跳线而苦恼只要增加通道数目，即可连接多台设备。
　　Serial ATA采用七针数据电缆，主要有四个针脚，第1针发送信号，第2针接收信号，第3针供应电源，第4针为地线。最长可以达到1米，而并行ATA最长40厘米，重要是不会在出现因过多的引脚而是针会变弯或断针的现象，Serial ATA插接简单，还大大改善了机箱的通风条件。

　　三、持热插拔

　　串行ATA支持热插拔，像USB和IEEE1394一样，在不关

　　DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。
　　标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。
　　同步动态随机存储器（SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。
　　DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。
　　DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

　　此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

　　内存的频率不是和CPU的前端总线的频率一致的吗？要成1比1关系。
　　506的FSB是533M，其外部数据传输率是4266MBIT/秒（533*8）。相对应的内存的外部传输率如下：
　　双通道DDR266：4266MBIT/秒（266*2*8）
　　双通道DDR333：5328MBIT/秒（333*2*8）
　　双通道DDR400：6400MBIT/秒（400*2*8）
　　双通道DDR533：8528MBIT/秒（533*2*8）
　　从上面数据可以看出：一，在双通道情况下，双通道DDR266和506U的外部数据传输率为1：1，双通道DDR333以上，506的533MFSB就成了“瓶颈”；二，单通道情况下，由于少了一个系数2，DDR533才和506U的外部数据传输率为1：1。
　　所以，双通道DDR533和双通道DDR400在配506的情况下，只能运行在333MHZ的频率上了。

　　1 首先走出一个误区，双通道内存不是内存的一种！！而是一种主板和CPU之间的一种内存控制技术。市面上内存都可以用来组成双通道，只要你的主板支持。
　　2 下面是一篇百度搜到的技术文章，说的很详细
　　深入了解双通道内存技术
　　双通道内存技术的原理

　　双通道技术在当今的电脑应用越来越广泛，相信大家对双通道，使普通的DD的词语并不陌生。那么究竟双通道技术是怎么样的呢？双通道内存技术其实就是双通道内存控制技术，能有效地提高内存总带宽，从而适应新的微处理器的数据传输、处理的需要。它的技术核心在于：芯片组(北桥)可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据R内存可以达到128位的带宽。

　　双通道主板的工作原理示意图

　　双通道DDR有两个64bit内存控制器，双64bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供的带宽，但嵌?咚?锏叫Ч?词遣煌?摹K?ǖ捞逑蛋??肆礁龆懒⒌摹⒕弑富ゲ剐缘闹悄苣诖婵刂破鳎?礁瞿诖婵刂破鞫寄芄辉诒舜思淞愕却?奔涞那榭鱿峦?痹俗鳌＠?纾?笨刂破鳔准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让有效等待时间缩减50%，双通道技术使内存的带宽翻了一翻。

　　双通道内存技术的发展

　　双通道内存技术最初是从RAMBUS推出的RDRAM内存条开始的。RAMBUS的内存速度非常快，但是总线宽度却比SDRAM内存还要小，因此它不得不结合Intel的双通道内存控制技术提高带宽，达到高速的数据传输速率。不过RAMBUS由于生产成本过高的原因，逐步被市场淘汰，反而让DDR使双通道技术发扬光大。如今Pentium 4采用的NetBurst架构对内存带宽要求非常高，如果内存无法提供相应数据传输率的话，这么快的处理器总线速度也是英雄无用武之地。因此只有通过双通道内存控制技术才能够解决这个问题。最近金邦推出了DDR500内存条，单条的数据带宽以及达到4GB之高，如果使用双通道技术的话带宽将达到8GB之多。

　　双通道内存技术的应用

　　前面已经说过，双通道内存主要是依靠主板北桥的控制技术，与内存本身无关。因此如果要使用支持双通道内存技术的话主板才是关键。目前支持双通道内存技术的主板有Intel的i865和i875系列、SIS的SIS655、658系列、nVIDIAD的nFORCE2系列等。Intel最先推出的支持双通道内存技术的芯片组为E7205和E7500系列。

　　双通道内存D的安装有一定的要求。主板的内存插槽的颜色和布局一般都有区分。如果是Intel的i865、875系列主板一般有4个DIMM插槽，每两根一组，每组颜色一般不一样；每一个组代表一个内存通道，只有当两组通道上都同时安装了内存条时，才能使内存工作在双通道模式下。另外要注意对称安装，即第一个通道第1个插槽搭配第二个通道第1个插槽，依此类推。用户只要按不同的颜色搭配，对号入座地安装即可。如果在相同颜色的插槽上安装内存条，那么只能工作在单通道模式。而nFORCE2系列主板同样有两个64位的内存控制器，其中A控制器只支持一根内存插槽，B通道则支持两根，A、B插槽之间有一段距离以方便用户识别，A通道的内存插槽在颜色上也可能与B通道两个内存插槽不同，用户只要将一根内存插入独立的内存插槽而另外一根插到另外两个彼此靠近的内存插槽就能组建成双通道模式，此外，如果全部插满内存，也能建立双通道模式，而且nForce2主板组建双通道模式时对内存容量乃至型号都没有严格的要求，使用方便。

　　nFORCE2主板用距离来区分内存的A、B控制器

　　i865主板用两组不同的颜色代表两个内存控制器

　　如果安装方法正确的话，在主板开机自检时，将会显示内存的工作模式；用户根据屏幕显示(如“DDR333 Dual Channel Mode Enabled”，“激活双通道模式”)，那么内存就已经工作在双通道模式。

　　总之双通道内存控制技术的出现确实令道使用P4的用户性能有了一定的提升，也是未来发展的趋势。但是也要看具体的应用，如果在AMD的CPU平台上，使用支持双通道的DDR 266/200的内存条，并不会比使用单条的DDR333的内存更有效率，因为后者已经能满足外部总线频率的带宽需要；在这类主板上使用双通道对用户来说是一种资源的浪费。另外要注意的是内存条的搭配，Intel的要求也比其他主板要高，最好使用相同品牌相同型号的内存条，确保稳定性。
　　具体参考地址 http://it.enorth.com.cn/system/2003/09/10/000630745.shtml
　　3 需要特别注意的，如果CPU不达不到双通道要求，却打开主板的双通道，性能可能不升反降。如果CPU，主板支持双通道，理论上使用两根256M内存要比一根512M内存的性能可以得到2倍的提升，但实际效果只有20%-30%的性能提升。

奔腾CPU 是intel公司CPU生产史上当今来说最现代、最先进的一个CPU系列了。赛扬是奔腾的简化版，它的核心和奔腾一样，只是在包装和缓存及外频上作了简化，以适应低端消费者的需要，因为它比起同样核心频率的奔腾来说价格低好多。
奔腾M是笔记本专用CPU，D 是指用了超线程技术。
S-ATA硬盘是指它的接口是串口，它的带宽较大。PATA的全称是ParallelATA，就是并行ATA硬盘接口规范，也就是我们现在最常见的硬盘接口规范了。PATA硬盘接口规模已经具有相当的辉煌的历史了，而且从ATA33/66一直发展到ATA100/133一直到目前最高的ATA150。而SATA硬盘全称则是SerialATA，即串行ATA硬盘接口规范。目前PATA100硬盘的一般写入速度为65MB/s，而第一代SATA硬盘的写入速度为150MB/s，第二代SATA硬盘的写入速度则高达300MB/s，整整比第一代的速度提高了一倍。SATA硬盘接口规范的出现其实就要取代PATA，就和DDR取代SDRAM一样。

从技术角度去分析：SATA比PATA快多少？

既然SATA的出现是取代PATA的，那么SATA和PATA相比，主要的优势又在那里呢？首先就是速度，上文我们已经提到第二代SATA的传输速度为300MB/s，不过第三代的SATA产品的传输速度已经提高至600MB/s。从速度这一点上，SATA已经远远把PATA硬盘甩到了后面。另外，在传输方式上SATA也比PATA高人一等。SATA采用的是单通道传输，PATA是多通道传输。有些朋友可能从字面上误认为，PATA的多通道应该比SATA的单通道快，其实不然。

因为SATA的单数据通道并没有象PATA那样限制速度频率。SATA传输线的传输速度比PATA要快了近30倍。PATA必须在数据线中一次传输16个信号，如果信号没有及时到达或是发生延迟，错误数据就会产生。因此比特流传输的速度必须减缓以纠正错误。而SATA一次只传输一个比特的数据，此时比特流的传递速度要快得多。这就好比是运球游戏，每次运一个球要比一次运16个球容易的多。还有，SATA另一个进步在于它的数据连线，它的体积更小，散热也更好，与硬盘的连接相当方便。与PATA相比，SATA的功耗更低，这对于笔记本而言是一个好消息，同时独有的CRC技术让数据传输也更为安全。

目前硬盘的传输瓶颈是内部数据传输率！简单来说，sata开了一条很宽的马路，但是在这上面跑的车还是那个速度。当然开阔马路还是很重要的，也必须有一定的超前，但是目前的sata和ata硬盘的速度并没有质的区别。

DDR内存是指制作内存的一个标准，它们后虽然名字上只差毫厘，但DDR和DDR2却是完全不兼容的，DDR2接口为240Pins比DDR的184Pin长，而且电压亦比DDR的2.5v更低，只有1.8v而在同时脉下比DDR低一半的功耗，这些都是DDR2内存的优点，而缺点则是DDR的延迟值比较高，在同时脉下效能较低。 不单在规格上不兼容，其实DDR和DDR2在技术上有得大分别。我们用的内存是透过不停充电及放电的动作记录资料的，上代SDRAM内存的核心时脉就相等于传送速度，而每一个Mhz只会有传送1 Bit的资料，采用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。但随着系统内部组件速度提升，对内存速度的要求增加，单纯提升内存时脉已经不能应付需求，幸好及时发展出DDR技术。
DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那一刻存取资料，故此每一下充电放电的动作，只能读写一次，而DDR却把技术提升至在充电及放电时都能存取资料，故此每Mhz有两次存取动作，故此DDR会比SDRAM在同一时脉下效能提高一倍，而100Mhz的DDR却可达至200Mbps存取速度，由于每一个Mhz都要有二次的资料存取，故此DDR每一Mhz会传送2Bit，称为2Bit Prefetch，而DDR颗粒时脉每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的两倍。
而DDR 2则是承继DDR并作出改良，同样能在每一笔充电放电时都能存取，但DDR 2却改良了I/O Buffer部份，以往内存颗粒的时脉相等于I/O Buffer的时脉，但DDR2的I/O Buffer会被提升至却内存核心时脉的一倍，而DDR 2内存会在每一个Mhz传送4Bit的资料给I/O Buffer，比DDR每笔传送2Bit多一倍，故此在同一内存核心时脉下，DDR 2的内存会比DDR速度快一倍，这技术称为4Bit Prefetch。DDR 2未来提升速度的空间会比DDR强，因为每提升1 Mhz DRAM的时脉，所得到的效果却是传统SDRAM的四倍。不过我们经常提及DDR 2的时脉是Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR 2 533的时脉还是266Mhz。
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到 CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
面的数字是指它们的外频大小。

晕了