中科新闻网登入江西志愿者服务网:关于半导体光刻去胶的若干问题
来源：百度文库 编辑：中科新闻网 时间：2024/04/29 08:43:08
对线宽为50UM的铝电极光刻腐蚀坚膜后进行去胶时,分别用了浓H2SO4和剥离液去胶,温度分别约为50和80度,但都有不同程度的铝腐蚀,剥离液腐蚀程度小,但比较慢.请问还有其它什么方法(最好是湿法)吗?或者对以上两种办法的工艺参数能改进吗?另外,剥离液是什么成分啊,这么贵?
我是微电子专业的学生,麻烦大家帮帮忙,我只能给出10个积分,不好意思啊!
拜托了.
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