三叉神经炎中医治疗:在芯片（SDRAM）里cke是什么信号？

SDRAM在读写数据时重点注意的信号

1. CKE：时钟使能信号，为输入信号，高电平有效。CKE信号的用途有两个：一、关闭时钟以进入省电模式；二、进入自刷新状态。CKE无效时，SDRAM内部所有与输入相关的功能模块停止工作。

2. CLK：时钟信号，为输入信号。SDRAM所有输入信号的逻辑状态都需要通过CLK的上升沿采样确定。

3. CS#：片选信号，为输入信号，低电平有效。只有当片选信号有效后，SDRAM才能识别控制器发送来的命令。设计时注意上拉。

4. CAS#：列地址选通信号，为输入信号，低电平有效。
   

电流标称 工作的条件/参数

IDD0 操作电流，Active到Precharge，一个Bank工作，Active指令最小持续周期TRC = TRC (min)，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化一次，地址和控制信号每两个时钟改变一次。

IDD1 操作电流，Active-Read-Precharge，一个Bank工作，突发长度为2，Active指令最小持续周期TRC = TRC (min)，地址和控制信号每个时钟改变一次。

IDD2P 静态电流，预充电状态中，节电模式，CKE为低电平，所有Bank空闲。

IDD2F 静态电流，预充电状态中，Standby模式，CKE高电平有效，片选信号未选中，所有 Bank空闲。

IDD3P 静态电流，激活状态中，节电模式，CKE为低电平，一个Bank激活，其它Bank空闲

IDD3N 静态电流，激活状态中，Standby模式，Active到Precharge，CKE为高电平，一个Bank工作，Active指令最大持续周期TRC = TRAS (max)，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化两次，地址和控制信号每个时钟改变一次。

IDD4R 操作电流，读操作，突发长度为2，连续突发，一个Bank工作，地址和控制信号每个时钟改变一次。

IDD4W 操作电流，写操作，突发长度为2，连续突发，一个Bank工作，地址和控制信号每个时钟改变一次，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化两次。

IDD5IDD6 最大自动刷新电流，TRC = TRC (min)。

正常自动刷新电流，TRC = 7.8125us，8K/64ms刷新率(有的Datasheet上只有IDD5)

IDD7 内部自刷新电流，分为标准芯片和低功耗芯片两种情况。

IDD8 操作电流，所有Bank交错读操作，突发长度为4，TRC = TRC (min)，地址和控制信号只在执行Read和Write指令时才改变状态。

了解了这些电流的含义之后，我们就可以进行具体的功耗计算了。详细的分析可参见Micron公司的技术资料Calculating Memory System Power For DDR,TN-46-03。

后台电源消耗（Background Power）：

l CKE低电平节能状态的预充电模式：P (Pre_PND)= IDD2P*VDD

l CKE有效Standby状态的预充电模式：P (Pre_STBY)= IDD2F*VDD

l CKE低电平节能状态的激活模式：P (ACT_PND)= IDD3P*VDD

l CKE有效Standby状态的预充电模式：P (ACT_STBY)= IDD3N*VDD

l 自动刷新电流：P (REF)= (IDD5/6- IDD2P)*VDD。

激活时操作电流（Activate Power）：

l Active到Precharge操作过程中的消耗：

P (ACT)= (IDD0- IDD3N)*VDD*[TRC(spec)/TACT(actual)]。

读写操作电流（Read/Write Power）：

l 写操作的功耗：P (WR)=(IDD4W- IDD3N)*VDD*WR%

l 读操作的功耗：P (RD)=(IDD4W- IDD3N)*VDD*RD%

l 读操作时I/O功耗：P (DQ)=(Vout* I out)*N*RD%

其中WR%和RD%指写/读操作在ACT周期中占的比重，Vout和I out指DQ管脚的输出电压和电流，N指芯片上DQ和DQS的数目。

需要注意的是，芯片厂商的Datasheet上提供的数据通常都是在比较苛刻的

条件下测量的结果，比如VDD是工作在额定最大电压下（对DDR来说一般为2.7V）。遇到这种情况我们就要采取一些处理措施，办法就是根据实际电压和频率的变化，对计算的结果通过乘上变化因子进行调整，功率和频率及电压的平方成正比：

2

P2=(V2/V1)(f2/f1)P1

经过调整之后，得到的就是在实际工作电压和频率下的功耗。当然，这时候计算出来的仅仅是各部分工作状态下相对独立的电源消耗情况，如果综合起来计算整个芯片的功耗，则不是简单地把各项相加就行，还要合理考虑各种状态所占的比例等实际问题，比如：所有Bank预充电占的时间比例BNK_PRE%，处于预充电状态中CKE低电平占的比例CKE_LO_PRE%，处于激活状态中CKE处于低电平的比例CKE_LO_ACT%等等。这时，相应的公式要调整为：

l P (Pre_PND)= IDD2P*VDD* BNK_PRE%* CKE_LO_PRE%

l P (Pre_STBY)= IDD2F*VDD* BNK_PRE%* （1-CKE_LO_PRE%）

l P (ACT_PND)= IDD3P*VDD*（1- BNK_PRE%）* CKE_LO_ACT%

l P (ACT_STBY)= IDD3N*VDD*（1- BNK_PRE%）* （1-CKE_LO_ACT%）

单个芯片电源消耗的计算方法学会之后，我们还可以类推到整个内存模块的

功耗计算。下面我们就举例来分析一下4根1G的DIMM正常工作时的电源消耗，芯片采用Samsung K4H560838D DDR333 64MX4的芯片。

估计是"稽核"，检查、校验的意思。