马尔代夫蕉叶岛报价:除了QQ是用内存操作,还有什么网络播放系统是通过内存操作的?

哪有程序不经过内存操作的?给你看看下面的说明你就会懂了!

一、内存概述
1、内存的分类
内存的物理实质是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存按存储信息的功能可分为只读存储器（Read Only Memory）、可改写的只读存储器EPROM（Erasable Programmable ROM）和随机存储器RAM（Random Access Memory）。
ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用于存放固定的程序，如监控程序、汇编程序等，以及存放各种表格。EPROM和一般的ROM不同点在于它可以用特殊的装置擦除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。
RAM就是我们平常所说的内存，主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息和作堆栈用。它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。由于RAM由电子器件组成，所以只能用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两种。静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。另外，内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中，用于充当设备
缓存或保存固定的程序及数据。
2、动态RAM的分类： ??? 动态RAM按制造工艺的不同，又可分为动态随机存储器（Dynamic RAM）、扩展数据输出随机存储器（Extended Data Out RAM）和同步动态随机存储器（Synchromized Dynamic RAM）。
DRAM需要恒电流以保存信息，一旦断电，信息即丢失。它的刷新频率每秒钟可达几百次，但由于DRAM使用同一电路来存取数据，所以DRAM的存取时间有一定的时间间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存储地址空间是按页排列的，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时钟周期。其接口多为72线的SIMM类型。
EDO-RAM同DRAM相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V，其接口方式多为72线的SIMM类型，但也有168线的DIMM类型。
SDRAM（Synchronous DRAM）的中文名字是“同步动态随机存储器”，这就是目前主推的PC100和PC133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64bit，3.3 V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它是与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。众所周知，现有的芯片组除了Intel i820以外，都能对SDRAM进行支持，仍为目前的主流内存。
3、接口类型
SIMM接口类型和DIMM类型接口。SIMM是Single-In Line Memory Medule的简写，即单边接触内存模组，这是5X86及其较早的PC机中常用的内存的接口方式。在更早的PC机中（486以前），多采用30针的SIMM接口，而在Pentium中，应用更多的则是72针的SIMM接口，或者是与DIMM接口类型并存。DIMM是Dual In-Line Memory Module的简写，即双边接触内存模组，也就是说这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，但由于是双边的，所以一共有84×2=168线接触，故而人们经常把这种内存称为168线内存，而把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。DRAM内存通常为72线，EDO-RAM内存既有72线的，也有168线的，而SDRAM内存通常为168线的。
4、高速缓存
通常人们所说的Cache就是指缓存SRAM。 即静态内存，“静态”指的是当我们将一笔数据写入SRAM后，除非重新写入新数据或关闭电源，否则写入的数据保持不变。
高速缓存之所以能提高系统的速度是基于一种统计规律，主板上的控制系统会自动统计内存中哪些数据会被频繁的使用，就把这些数据存在高速缓存中，CPU要访问这些数据时，就会先到Cache中去找，从而提高整体的运行速度。一般说来，256K的高速缓存能使整机速度平均提高10%左右。

5、新式内存
DDR SDRAM（Dual date rate SDRSM）：又简称DDR，是“双倍速率SDRAM”的意思，由于它可以在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/S。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些（约为10%左右），但仍要远小于RAMBUS的价格，因为制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与RAMBUS相抗衡的内存发展的一个方向，也将是VIA推广PC266标准的重要支柱内存。目前已经得知的支持DDR的芯片组有AMD的760芯片组与扬智（ALi）的M1651和M1647两款北桥芯片，扬智这两款北桥芯片是分别面向Intel和AMD的两种不同体系。

二、内存发展趋势
如今内存的形势是：DRAM、EDO DRAM已经基本消失，SDRAM仍占据大部市场，不过已成强弩之末，正逐渐让位于DDR DRAM，DDR DRAM在众多厂家的推动下它很有可能成为下一代内存的主流，而Rambus DRAM则前景堪忧，不过仍将主宰一部分市场。
三、内存品牌
品牌内存制作工艺、内存颗粒等都是好的，内存的速度、稳定性等性能有保障。目前市面上较著名的内存品牌有现代、宏基、micron、三星、金邦、樵风等。应注意区分用某一品牌的内存颗粒，并不代表时那一品牌的内存。